光刻机/紫外曝光机_报价-科睿设备有限公司

MIDAS为全球**的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上*早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多**企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。

感谢南开大学，中科院半导体所，中科院长春应化所，中科院物理所，浙江师范大学使用此设备做课题研究！！

此型号光刻机是所有进口设备中性能价格比**的型号，达到欧美品牌的对准精度，CCD显示屏对准更为方便，液晶触摸屏操作，采用欧司朗紫外灯，寿命长。整机效果皮实耐用，正常使用3年内不会出问题！！

目前，上海蓝光已采用该公司全自动型光刻机做LED量化生产，证明其品质达到LED产业标准要求！！而且已经成功提供图形化蓝宝石衬底（PSS）光刻工艺设备

技术参数：

- 基片尺寸：4、6、8、12、25英寸，其他尺寸可定制；

- 光束均匀性：<±3%；

- 曝光时间可调范围：0.1 to 999.9秒；

- 对准精度：0.6-1微米

- 分辨率：1微米；

- 光束输出强度：15-25mW/cm2；

	项目	技术规格
曝光系统(Exposure System) MDA-400M型	光源功率	350W UV Exposure Light source with Power supply
	分辨率	- Vacuum Contact : 1um ( Thin PR@Si Wafer ) - Hard Contact : 1um - Soft contact : 2um - 20um Proximity: 5um
	**光束尺寸	4.25×4.25 inch
	光束均匀性	≤ ±3% (4inch standard)
	光束强度	15~20mW/cm²(365nm Intensity)
	曝光时间可调整	0.1 to 999.9 sec
对准系统(Alignment System)	对准精度	1um
	对准间隙	手动调节(数字显示)
	光刻模式	真空，硬接触，软接触，渐进（Proximity）
	卡盘水平调节	楔形错误补偿Wedge Error Compensation
	真空卡盘移动	X， Y: 10 mm， Theta: ±5°
	Z向移动范围	10mm
	接近调整步幅	1um
样品(Sample)	基底 Substrate	2， 3， 4 inch
样品(Sample)	掩模板尺寸	4 and 5 inch
Utilities	真空 Vacuum	< -200 mbar (系统包含真空泵)
	压缩空气 CDA	> 5Kg/cm²
	氮气 N2	>3Kg/cm²
	电源 Electricity	220V， 15A， 1Phase
	显微镜及显示器 CCD and Monitor	Dual CCD zoom microscope and LCD (17inch) monitor; Magnification : 80x ~ 1000x;

主要特点：

- 光源强度可控；

- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；

- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；

- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调)，Proximity接近模式，投影模式；

- 真空吸盘范围可调；

- **技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式

-两个CCD显微镜系统，**放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。

- 特殊的基底卡盘可定做；

- 具有楔形补偿功能；

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